C:\Renesas\mcal\v3.16.0\sw_src\g4mh_mcal\rel\S4\common_family\make\ghs>SampleApp.bat mcu R19-11 S4 No
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common.mak:125: \cygdrive\c\Renesas\mcal\v3.16.0\sw_src\g4mh_mcal\rel\common\generic\compiler\19_11\ghs\make\ghs_rh850_r19_11_defs.mak: No such file or directory
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note:
# 查看环境变量"GNUMAKE"
PS C:\Renesas\mcal\v3.16.0\sw_src\g4mh_mcal\rel\S4\common_family\make\ghs> $env:GNUMAKE
3.3V->2.5V / 2.5V->3.3V / 1.8V->3.3V : LSFT0101DRYR/HD74LV1GT08A
3.3V<->2.5V : TXS0102DCUT
参考:
正文:
单片机的基准电压一般为3.3V,如果外部信号超过了AD测量范围,可以采用电阻分压的方法,但是要注意阻抗匹配问题。
比如,SMT32的模数输入阻抗约为10K,如果外接的分压电阻无法远小于该阻值,则会因为信号源输出阻抗较大,AD的输入阻抗较小,从而输入阻抗对信号源信号的电压造成分压,最终导致电压读取误差较大。
因此,对于使用单片机读取外部信号电压,外接分压电阻必须选用较小的电阻,或者在对功耗有要求的情况下,可选用大阻值的电压分压后,使用电压跟随器进行阻抗匹配(电压跟随器输入阻抗可达到几兆欧姆,输出阻抗为几欧姆甚至更小)。如果信号源的输出阻抗较大,可采用电压跟随器匹配后再接电阻分压。
对于外置的ADC芯片,在选型时,要留意其类型(SAR型、开关电容型、FLASH型、双积分型、Sigma-Delta型),不同类型的ADC芯片输入阻抗不同——
Sigma-Delta型:这是目前精度最高的ADC类型,需要重点注意如下问题:
a. 测量范围问题:
SigmaDelta型ADC属于开关电容型输入,必须有低阻源。
所以为了简化外部设计,内部大多集成有缓冲器。
缓冲器打开,则对外呈现高阻,使用方便。
但要注意了,缓冲器实际是个运放。那么必然有上下轨的限制。
大多数缓冲器都是下轨50mV,上轨AVCC-1.5V。
在这种应用中,共莫输入范围大大的缩小,而且不能到测0V。
一定要特别小心!
一般用在电桥测量中,因为共模范围都在1/2VCC附近。不必过分担心缓冲器的零票,通过内部校零寄存器很容易校正的;
b. 输入端有RC滤波器的问题:
SigmaDelta型ADC属于开关电容型输入,在低阻源上工作良好。
但有时候为了抑制共模或抑制乃奎斯特频率外的信号,需要在输入端加RC滤波器,一般DATASHEET上会给一张最大允许输入阻抗和C和Gain的关系表。
这时很奇怪的一个特性是,C越大,则最大输入阻抗必须随之减小!
刚开始可能很多人不解,其实只要想一下电容充电特性久很容易明白的。还有一个折衷的办法是,把C取很大,远大于几百万倍的采样电容Cs(一般4~20PF),则输入等效纯电阻,分压误差可以用GainOffset寄存器校正。
c. 运放千万不能和SigmaDelta型ADC直连!
前面说过,开关电容输入电路电路周期用采样电容从输入端采样,每次和运放并联的时候,会呈现低阻,和运放输出阻抗分压,造成电压下降,负反馈立刻开始校正,但运放压摆率(SlewRate)有限,不能立刻响应。于是造成瞬间电压跌落,取样接近完毕时,相当于高阻,运放输出电压上升,但压摆率使运放来不及校正,结果是过冲。而这时正是最关键的采样结束时刻。
所以,运放和SD型ADC连接,必须通过一个电阻和电容连接(接成低通)。而RC的关系又必须服从datasheet所述规则。
d. 差分输入和双极性的问题:
SD型ADC都可以差分输入,都支持双极性输入。
但这里的双极性并不是指可以测负压,而是Vi+ Vi-两脚之间的电压。假设Vi-接AGND,那么负压测量范围不会超过-0.3V。
正确的接法是Vi+ Vi- 共模都在-0.3~VCC之间差分输入。
一个典型的例子是电桥。
另一个例子是Vi-接Vref,Vi+对Vi-的电压允许双极性输入。
windows10, 不能建立网络驱动器映射。
解决办法:
本地现在就可以建立映射网络驱动器了。
参考下述连接: Kicad应用总结(转)
首先说明一下,热键(即单个按键)直接用字母表示;组合键(是指先按住第一个键不放,然后按下第二个键,再放开这两个键。)则用 “ + ” 表示;多次按键(是指先按下第一个键并放开,然后按下第二个键并放开,以此类推。)则用 “ - ” 表示。
1、常规
快捷键 | 功能 |
---|---|
Ctrl + N | 新建 |
Ctrl + O | 打开 |
Ctrl + S | 保存 |
Ctrl + Shift + S | 另存为 |
Ctrl + Z | 撤销 |
Ctrl + Y | 重做 |
Ctrl + X | 剪切 |
Ctrl + C | 复制 |
Ctrl + V | 粘贴 |
Ctrl + F | 查找 |
F1 | 放大 |
F2 | 缩小 |
F3 | 缩放重绘 |
F4 | 缩放中心 |
Home | 适合屏幕 |
E | 编辑 |
2、原理图
快捷键 | 功能 |
---|---|
C | 重复的器件符号或标签 |
R | 旋转 |
M | 移动 |
A | 添加器件符号 |
P | 添加电源符号 |
X | X轴镜像 |
Y | Y轴镜像 |
W | 画线 |
B | 放置总线 |
L | 添加标签 |
H | 添加分层标签 |
Ctrl + L | 添加全局标签 |
J | 添加连接点 |
Q | 添加禁止连接标志 |
F8 | 更新到 PCB |
3、PCB
快捷键 | 功能 |
---|---|
O | 放置封装 |
D | 保持角度拖动布线 |
X | 布线 |
Q | 编辑线宽/过孔尺寸 |
L | 锁定/解锁封装 |
V | 常规状态下,切换层;布线状态下,放置过孔并切换层 |
N / Shift + N | 切换网格大小 |
Ctrl + H | 板层高对比模式(单层显示) |
W / Shift + W | 切换线宽 |
Ctrl | 保持角度 |
/ | 布线轨迹切换 |
B | 填充所有铜层区域 |
Ctrl + Shift + M | 测量 |
Alt + 6 | 差分布线 |
G | 调整铜层区域 |
4、库封装
快捷键 | 功能 |
---|---|
M | 移动 |
X | X轴镜像 |
Y | Y轴镜像 |
Instert | 重复引脚 |
常用的电阻为:
$10^{\frac{0-23}{24}}$,取1位小数。
即 [ 1.0, 1.1, 1.2, 1.3, 1.5, 1.6, 1.8, 2.0, 2.2, 2.4, 2.6, 2.9, 3.2, 3.5, 3.8, 4.2, 4.6, 5.1, 5.6, 6.2, 6.8, 7.5, 8.3, 9.1]
$10^{\frac{0-95}{96}}$,取2位小数。
即 [ 1.0, 1.02, 1.05, 1.07, 1.1, 1.13, 1.15, 1.18, 1.21, 1.24, 1.27, 1.3, 1.33, 1.37, 1.4, 1.43, 1.47, 1.5, 1.54, 1.58, 1.62, 1.65, 1.69, 1.74, 1.78, 1.82, 1.87, 1.91, 1.96, 2.0, 2.05, 2.1, 2.15, 2.21, 2.26, 2.32, 2.37, 2.43, 2.49, 2.55, 2.61, 2.67, 2.74, 2.8, 2.87, 2.94, 3.01, 3.09, 3.16, 3.24, 3.32, 3.4, 3.48, 3.57, 3.65, 3.74, 3.83, 3.92, 4.02, 4.12, 4.22, 4.32, 4.42, 4.53, 4.64, 4.75, 4.87, 4.99, 5.11, 5.23, 5.36, 5.49, 5.62, 5.76, 5.9, 6.04, 6.19, 6.34, 6.49, 6.65, 6.81, 6.98, 7.15, 7.32, 7.5, 7.68, 7.87, 8.06, 8.25, 8.45, 8.66, 8.87, 9.09, 9.31, 9.53, 9.76]