A guide to convolution arithmetic for deep learning (BibTeX)
影响CNN output size的几个因素
ij = 5
kj = 3
sj = 2
pj = 1
功能安全,贯穿从设计前/设计中/设计后三个阶段。

可以看到,在SIL2/ASIL B-C,最多会有一人死亡。

可以看到,设计MCU/CPU,要想加入功能安全属性,像memory,bus,clock,voltage,peripherals这些地方,需要很多工作要做的,如memory中的ECC/Parity校验,均是功能安全要求的。

可以看到,从设计目标,设计实现,到结果验证,呈现出一个V形架构。

| 缩写词 | 全称 |
|---|---|
| DFA | Dependent Failure Analysis(依赖失效分析) |
| DIA | Development Interface Agreement(开发接口协议) |
| DIR | Development Interface Report(开发接口报告) |
| ECC | Error Correction Code(错误校正编码) |
| FMEA | Failure Mode and Effects Analysis(失效模式与效果分析) |
| FMEDA | Failure Modes Effects and Diagnostics Analysis(失效模式效果与诊断分析) |
| FSA | Functional Safety Assessment Report(功能安全评估报告) |
| FTTI | Fault Tolerant Time Interval(容错间隔) |
| FTA | Fault Tree Analysis(错误树分析) |
| HE | Hard Error(硬件错误) |
| LFM | Latent Fault Metric(潜在故障矩阵) |
| MPF,D | Multiple-Point Fault detected(多点故障) |
| MPF,L | Multiple-Point Fault latent(潜伏多点故障) |
| MPF,P | Multiple-Point Fault perceived(可感知的多点故障) |
| NSR | Non Safety Related(非安全相关) |
| PMHF | Probabilistic Metric For Random Hardware Faults(随机硬件故障的概率度量) |
| RF | Residual Fault(残余故障) |
| SAN | Safety Application Note(安全应用说明) |
| SC | Safety Case Summary(安全案例摘要) |
| SE | Soft Error(软件错误) |
| SEooC | Safety Element out of Context(脱离上下文的安全元素) |
| SPF | Single-Point Fault(单点故障) |
| SPFM | Single Point Fault Metric(单点故障矩阵) |
| SRS | Safety Requirement Specification(安全要求规范) |
在行首用符号“#”。
有多种方法,比较喜欢以下这种方法:
:<<!
......
!
例:
...
# Tarballs provided with the PoC
### comment for debug
:<<!
# CR7 loade
tar xf ${PKG_RELEASE}/src/cr7-loader/cr7-loader*.tar.gz -C ./
mv cr7-loader* cr7-loader
# CR7 vlib
tar xf ${PKG_RELEASE}/src/cr7-vlib/cr7-vlib*.tar.gz -C ./
mv cr7-vlib* cr7-vlib
!
# Git repos plus patches
...
定义函数:int readlink(const char *path, char *buf, size_t bufsiz); 函数说明:readlink()会将参数path的符号连接内容到参数buf所指的内存空间。若参数bufsiz小于符号连接的内容长度,过长的内容会被截断
返回值:执行成功则传符号连接所指的文件路径字符串,失败返回-1, 错误代码存于errno。
例二:
#include <stdio.h>
#include <unistd.h>
char * get_exe_path( char * buf, int count)
{
int i;
int rslt = readlink("/proc/self/exe", buf, count - 1);
if (rslt < 0 || (rslt >= count - 1))
{
return NULL;
}
buf[rslt] = '\0';
for (i = rslt; i >= 0; i--)
{
printf("buf[%d] %c\n", i, buf[i]);
if (buf[i] == '/')
{
buf[i + 1] = '\0';
break;
}
}
return buf;
}
int main(int argc, char ** argv)
{
char path[1024];
printf("%s\n", get_exe_path(path, 1024));
return 0;
}
U = Q/C
MOS管G/S极之间电容很小,当静电少量电荷接触上时,就会产生高压,从而击穿MOS管
在输入端添加保护二极管,其通时电流容限一般为1mA,在可能出现过大瞬态输入电流(超过10mA)时,应串接输入保护电阻。
在G极接电阻到地,阻值10~20K。作用:泄漏电荷,提供偏置电压。
参考链接
murata的部分贴片电感是有极性标志的:

这里的极性标志,表示的是安装方向/位置。
存在于murata的以下系列中:
-(薄膜)LQP_T series
-(叠层)multilayer-type LQG series
-(绕线)LQH inductors
由于电感的结构不是完美对称,所以,相应不同的安装方式,其属性也会改变。
极性点的目的是,保证使用其真正的值,下图示例,不同安装方向,电感值得变化。
