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重负载导致了电源突降解决方法(MOS开关管的使用)

2021-05-19
David
   


昨天碰到了一个MOS开关管使用的问题: MOSFET switch 原电路 Vin vs Vout 添加R2/C1之前 Vin vs Vout 添加R2/C1之后

解决方案【1】 由于Vout外接大容性负载,很容易造成Vin上的冲击/急剧跳变,以至于会降至Vmax/2以下,所以需要添加电阻R2、C1使MOS管“慢慢”打开,同时,也缩短Vout由“0”到“1”的上升时间,使由Vout供电的器件能够被可靠的上电复位。

解决方案【2】 以上电路还可以进一步改进,在开关管的输出端串联一个电感,改善这种由于重负载造成的电源突降,如下图。 进一步改造的电路

解决方案【3】 不过,以上方法并不完美,比较好的处理方法是,将MOS开关管前的电压用一路LDO,供应不大的电流给MCU,MOS开关管后面的电压用一路带有使能端的开关DC/DC,供应较大的电流给外围器件,这样能彻底避免由于重负载造成的电源突降。 进一步改造的电路

原文

文章中,嵌入的两个视频不错。 视频1——YCbCr and RGB Colour 视频2——Do you need 4:2:2 sampling


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