- 原理
U = Q/C
MOS管G/S极之间电容很小,当静电少量电荷接触上时,就会产生高压,从而击穿MOS管
- 解决方法
在输入端添加保护二极管,其通时电流容限一般为1mA,在可能出现过大瞬态输入电流(超过10mA)时,应串接输入保护电阻。
在G极接电阻到地,阻值10~20K。作用:泄漏电荷,提供偏置电压。
- 目前,有很多MOS管内部已经集成保护电阻或保护二极管,尽量选择这样的MOS管。
U = Q/C
MOS管G/S极之间电容很小,当静电少量电荷接触上时,就会产生高压,从而击穿MOS管
在输入端添加保护二极管,其通时电流容限一般为1mA,在可能出现过大瞬态输入电流(超过10mA)时,应串接输入保护电阻。
在G极接电阻到地,阻值10~20K。作用:泄漏电荷,提供偏置电压。